1N6076US
部品型番:
1N6076US
メーカー:
Microsemi
説明:
DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
フリーステータス/ RoHS状態:
リード/ RoHS非対応
在庫数量:
14807 Pieces
データシート:
1N6076US.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.76V @ 18.8A
電圧 - 逆(VR)(最大):50V
サプライヤデバイスパッケージ:D-5B
速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):30ns
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SQ-MELF, E
動作温度 - ジャンクション:-65°C ~ 155°C
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:1N6076US
拡張された説明:Diode Standard 50V 6A Surface Mount D-5B
ダイオードタイプ:Standard
説明:DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:5µA @ 50V
電流 - 平均整流(イオ​​):6A
Vrと、F @キャパシタンス:-
Email:[email protected]

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