1N8030-GA
1N8030-GA
部品型番:
1N8030-GA
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
フリーステータス/ RoHS状態:
リード/ RoHS非対応
在庫数量:
12406 Pieces
データシート:
1N8030-GA.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.39V @ 750mA
電圧 - 逆(VR)(最大):650V
サプライヤデバイスパッケージ:TO-257
速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):0ns
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-257-3
他の名前:1242-1117
1N8030GA
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 250°C
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:1N8030-GA
拡張された説明:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 750mA Through Hole TO-257
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
説明:DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:5µA @ 650V
電流 - 平均整流(イオ​​):750mA
Vrと、F @キャパシタンス:76pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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