2N6990 - Microsemi Corporation - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ 2N6990

2N6990

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	1V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式:	4 NPN (Quad)
サプライヤデバイスパッケージ:	14-Flatpack
シリーズ:	-
電力 - 最大:	400mW
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	14-Flatpack
運転温度:	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	22 Weeks
製造元の部品番号:	2N6990
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
説明:	TRANS 4NPN 50V 0.8A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	100 @ 150mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	10µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	800mA
Email:	[email protected]