2N7002K-T1-GE3 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-シングル 2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-236
シリーズ:	TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	2 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）:	350mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	2N7002K-T1-GE3-ND 2N7002K-T1-GE3TR 2N7002KT1GE3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	15 Weeks
製造元の部品番号:	2N7002K-T1-GE3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	30pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	0.6nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	300mA (Ta)
Email:	[email protected]