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2SA965-O(TE6,F,M)
2SA965-O(TE6,F,M)
部品型番:
2SA965-O(TE6,F,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17937 Pieces
データシート:
2SA965-O(TE6,F,M).pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:120V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:1V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:LSTM
シリーズ:-
電力 - 最大:900mW
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
他の名前:2SA965-O(TE6FM)
2SA965OTE6FM
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:2SA965-O(TE6,F,M)
周波数 - トランジション:120MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
説明:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:80 @ 100mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:800mA
Email:[email protected]

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