2SC5658T2LS - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル 2SC5658T2LS

2SC5658T2LS

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	400mV @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	VMT3
シリーズ:	-
電力 - 最大:	150mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-723
他の名前:	2SC5658T2LS-ND 2SC5658T2LSTR
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	2SC5658T2LS
周波数 - トランジション:	180MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount VMT3
説明:	TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 1mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	150mA
Email:	[email protected]