購入 ALD1110EPALとBYCHPS
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ALD1110EPAL
- 部品型番:
- ALD1110EPAL
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12119 Pieces
- データシート:
- ALD1110EPAL.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 ALD1110EPAL、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください ALD1110EPALをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1.01V @ 1µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-PDIP |
| シリーズ: | EPAD® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 500 Ohm @ 5V |
| 電力 - 最大: | 600mW |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 運転温度: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | ALD1110EPAL |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | - |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET特長: | Standard |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 10V |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | - |
| Email: | [email protected] |
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