購入 AOI4S60とBYCHPS
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AOI4S60
- 部品型番:
- AOI4S60
- 説明:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12491 Pieces
- データシート:
- 1.AOI4S60.pdf2.AOI4S60.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 AOI4S60、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください AOI4S60をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.1V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-251A |
| シリーズ: | aMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 900 mOhm @ 2A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 56.8W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | AOI4S60 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 263pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 6nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251A |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 600V |
| 説明: | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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