購入 APT10M11B2VFRGとBYCHPS
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APT10M11B2VFRG
- 部品型番:
- APT10M11B2VFRG
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 16560 Pieces
- データシート:
- APT10M11B2VFRG.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 APT10M11B2VFRG、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください APT10M11B2VFRGをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | T-MAX™ |
| シリーズ: | POWER MOS V® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大）: | 520W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 Variant |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | APT10M11B2VFRG |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 10300pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 450nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 説明: | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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