APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
部品型番:
APT45GP120B2DQ2G
メーカー:
Microsemi
説明:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13290 Pieces
データシート:
APT45GP120B2DQ2G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):3.9V @ 15V, 45A
試験条件:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:18ns/100ns
エネルギーの切り替え:900µJ (on), 905µJ (off)
シリーズ:POWER MOS 7®
電力 - 最大:625W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3 Variant
他の名前:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:APT45GP120B2DQ2G
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:PT
ゲートチャージ:185nC
拡張された説明:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
説明:IGBT 1200V 113A 625W TMAX
電流 - コレクタパルス(ICM):170A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):113A
Email:[email protected]

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