購入 APT58M80JとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 5mA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 110 mOhm @ 43A, 10V |
電力消費(最大): | 960W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
他の名前: | APT58M80JMI APT58M80JMI-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 22 Weeks |
製造元の部品番号: | APT58M80J |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 17550pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 570nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 800V 58A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
説明: | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 58A |
Email: | [email protected] |