購入 APTM10DHM09T3GとBYCHPS
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APTM10DHM09T3G
- 部品型番:
- APTM10DHM09T3G
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 13932 Pieces
- データシート:
- APTM10DHM09T3G.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 APTM10DHM09T3G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください APTM10DHM09T3Gをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | SP3 |
| シリーズ: | POWER MOS V® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| 電力 - 最大: | 390W |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | SP3 |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | APTM10DHM09T3G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 9875pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 350nC @ 10V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特長: | Standard |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 139A |
| Email: | [email protected] |
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