APTM120H29FG
APTM120H29FG
部品型番:
APTM120H29FG
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17978 Pieces
データシート:
1.APTM120H29FG.pdf2.APTM120H29FG.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 5mA
サプライヤデバイスパッケージ:SP6
シリーズ:POWER MOS 7®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):348 mOhm @ 17A, 10V
電力 - 最大:780W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SP6
他の名前:APTM120H29FGMI
APTM120H29FGMI-ND
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:APTM120H29FG
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:10300pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:374nC @ 10V
FETタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):34A
Email:[email protected]

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