AUIRF1324WL - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル AUIRF1324WL

AUIRF1324WL

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-262-3 Wide
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.3 mOhm @ 195A, 10V
電力消費（最大）:	300W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Wide Leads
他の名前:	SP001516588
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	AUIRF1324WL
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	7630pF @ 19V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	180nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 24V 240A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262-3 Wide
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	24V
説明:	MOSFET N-CH 24V 240A TO-262
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	240A (Tc)
Email:	[email protected]