AUIRF1405ZS-7P - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル AUIRF1405ZS-7P

AUIRF1405ZS-7P

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK (7-Lead)
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	4.9 mOhm @ 88A, 10V
電力消費（最大）:	230W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
他の名前:	SP001518538
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	AUIRF1405ZS-7P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	5360pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	230nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	120A (Tc)
Email:	[email protected]