AUIRF2804WL - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル AUIRF2804WL

AUIRF2804WL

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-262-3 Wide
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.8 mOhm @ 187A, 10V
電力消費（最大）:	300W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Wide Leads
他の名前:	SP001521514
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	AUIRF2804WL
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	7978pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	225nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 40V 240A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262-3 Wide
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	240A (Tc)
Email:	[email protected]