BSC042N03ST - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル BSC042N03ST

BSC042N03ST

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 50µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TDSON-8
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	4.2 mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大）:	-
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	SP000014715
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	BSC042N03ST
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3660pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	28nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 20A (Ta), 50A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	20A (Ta), 50A (Tc)
Email:	[email protected]