BSC750N10ND G
BSC750N10ND G
部品型番:
BSC750N10ND G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14721 Pieces
データシート:
1.BSC750N10ND G.pdf2.BSC750N10ND G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 12µA
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TDSON-8
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):75 mOhm @ 13A, 10V
電力 - 最大:26W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GTR
BSC750N10NDG
BSC750N10NDGATMA1
SP000359610
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:BSC750N10ND G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:720pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:11nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.2A
Email:[email protected]

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