BSO612CV - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ BSO612CV

BSO612CV

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 20µA
サプライヤデバイスパッケージ:	P-DSO-8
シリーズ:	SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	120 mOhm @ 3A, 10V
電力 - 最大:	2W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	BSO612CVINTR SP000012292
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	BSO612CV
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	340pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	15.5nC @ 10V
FETタイプ:	N and P-Channel
FET特長:	Standard
拡張された説明:	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3A, 2A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
BSO615N G	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
SIRB40DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8	オンラインお問い合わせ
DMN3032LFDBQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020	オンラインお問い合わせ
BSO615CT	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
APTM100DSK35T3G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3	オンラインお問い合わせ
BSO612CVGHUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC	オンラインお問い合わせ
DMN53D0LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	オンラインお問い合わせ
SLA5037	Sanken	MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP	オンラインお問い合わせ
BSO613SPV G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO	オンラインお問い合わせ
AO4807L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC	オンラインお問い合わせ
BSO613SPV	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO	オンラインお問い合わせ
BSO615C G	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
BSO615N	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC	オンラインお問い合わせ