BSS84P H6327 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル BSS84P H6327

BSS84P H6327

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 20µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-SOT23-3
シリーズ:	SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 Ohm @ 170mA, 10V
電力消費（最大）:	360mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	BSS84PH6327XTSA1 SP000702496
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	BSS84P H6327
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	19pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	1.5nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 60V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	170mA (Ta)
Email:	[email protected]