購入 BSZ086P03NS3E GとBYCHPS
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BSZ086P03NS3E G
- 部品型番:
- BSZ086P03NS3E G
- 説明:
- MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19643 Pieces
- データシート:
- BSZ086P03NS3E G.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 BSZ086P03NS3E G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください BSZ086P03NS3E Gをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.1V @ 105µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±25V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TSDSON-8 |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerTDFN |
| 他の名前: | BSZ086P03NS3E G-ND BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3EGATMA1 SP000473016 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | BSZ086P03NS3E G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 4785pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 57.5nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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