BUK652R1-30C,127
BUK652R1-30C,127
部品型番:
BUK652R1-30C,127
メーカー:
NXP Semiconductors / Freescale
説明:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
リード/ RoHS非対応
在庫数量:
19875 Pieces
データシート:
BUK652R1-30C,127.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.8V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.4 mOhm @ 25A, 10V
電力消費(最大):263W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:568-7491-5
934064241127
BUK652R1-30C,127-ND
BUK652R130C127
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:BUK652R1-30C,127
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:10918pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:168nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):120A (Tc)
Email:[email protected]

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