C2M0080120D
C2M0080120D
部品型番:
C2M0080120D
メーカー:
Cree
説明:
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18650 Pieces
データシート:
C2M0080120D.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 5mA
Vgs(最大):+25V, -10V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247-3
シリーズ:C2M™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):98 mOhm @ 20A, 20V
電力消費(最大):192W (Tc)
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:C2M0080120D
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:950pF @ 1000V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:62nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1200V (1.2kV) 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):20V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):36A (Tc)
Email:[email protected]

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