購入 C2M0280120DとBYCHPS
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C2M0280120D
- 部品型番:
- C2M0280120D
- メーカー:
- Cree
- 説明:
- MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15505 Pieces
- データシート:
- C2M0280120D.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 C2M0280120D、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください C2M0280120Dをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +25V, -10V |
| 技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247-3 |
| シリーズ: | Z-FET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 370 mOhm @ 6A, 20V |
| 電力消費（最大）: | 62.5W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号: | C2M0280120D |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 259pF @ 1000V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 20.4nC @ 20V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1200V (1.2kV) |
| 説明: | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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