C3M0280090J - Cree/Wolfspeed - トランジスタ-fet、mosfet-シングル C3M0280090J

C3M0280090J

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.5V @ 1.2mA
Vgs（最大）:	+18V, -8V
技術:	SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK-7
シリーズ:	C3M™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	360 mOhm @ 7.5A, 15V
電力消費（最大）:	50W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	C3M0280090J
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	150pF @ 600V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	9.5nC @ 15V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	15V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	900V
説明:	MOSFET N-CH 900V 11A
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	11A (Tc)
Email:	[email protected]