C4D10120E-TR - Cree/Wolfspeed - ダイオード-整流器-シングル C4D10120E-TR

C4D10120E-TR

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電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@:	1.8V @ 10A
電圧 - 逆（VR）（最大）:	1200V (1.2kV)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-252-2
速度:	No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ:	Z-Rec®
逆回復時間（trrの）:	0ns
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 175°C
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	4 Weeks
製造元の部品番号:	C4D10120E-TR
拡張された説明:	Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 33A Surface Mount TO-252-2
ダイオードタイプ:	Silicon Carbide Schottky
説明:	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:	250µA @ 1200V
電流 - 平均整流（イオ）:	33A
Vrと、F @キャパシタンス:	754pF @ 0V, 1MHz
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
VS-MBRB735TRLPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A D2PAK	オンラインお問い合わせ
C4D10120E	Cree/Wolfspeed	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2	オンラインお問い合わせ
C4D10120A	Cree/Wolfspeed	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2	オンラインお問い合わせ
MBR16H35-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY TO-220AC	オンラインお問い合わせ
GP20B-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A GP20	オンラインお問い合わせ
SS36-M3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB	オンラインお問い合わせ
BAT43WS-HE3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323	オンラインお問い合わせ
CMH04(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT	オンラインお問い合わせ
C4D10120D	Cree/Wolfspeed	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	オンラインお問い合わせ
SK15-13-F	Diodes Incorporated	DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB	オンラインお問い合わせ