購入 CPMF-1200-S080BとBYCHPS
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CPMF-1200-S080B
- 部品型番:
- CPMF-1200-S080B
- メーカー:
- Cree
- 説明:
- MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19072 Pieces
- データシート:
- CPMF-1200-S080B.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 CPMF-1200-S080B、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください CPMF-1200-S080Bをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +25V, -5V |
| 技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | Die |
| シリーズ: | Z-FET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| 電力消費（最大）: | 313mW (Tj) |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | Die |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | CPMF-1200-S080B |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1915pF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1200V (1.2kV) |
| 説明: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 50A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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