CSD13306WT - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-シングル CSD13306WT

CSD13306WT

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.3V @ 250µA
Vgs（最大）:	±10V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	6-DSBGA (1x1.5)
シリーズ:	NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力消費（最大）:	1.9W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-UFBGA, DSBGA
他の名前:	296-41134-2
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	CSD13306WT
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1370pF @ 6V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	11.2nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	12V
説明:	MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3.5A (Ta)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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