CSD17313Q2Q1T - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-シングル CSD17313Q2Q1T

CSD17313Q2Q1T

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.8V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	6-WSON (2x2)
シリーズ:	NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	30 mOhm @ 4A, 8V
電力消費（最大）:	2.4W (Ta), 17W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-WDFN Exposed Pad
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	CSD17313Q2Q1T
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	340pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	2.7nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 5A (Ta) 2.4W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	5A (Ta)
Email:	[email protected]