CSD23285F5 - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-シングル CSD23285F5

CSD23285F5

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同上@ VGS（TH）（最大）:	950mV @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	3-PICOSTAR
シリーズ:	FemtoFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	35 mOhm @ 1A, 4.5V
電力消費（最大）:	500mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	3-XFDFN
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	CSD23285F5
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	628pF @ 6V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	4.2nC @ 4.5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 12V 5.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	12V
説明:	MOSFET P-CH 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	5.4A (Ta)
Email:	[email protected]