購入 CSD85312Q3EとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.4V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-VSON (3.3x3.3) |
シリーズ: | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
電力 - 最大: | 2.5W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
他の名前: | CSD85312Q3E-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
製造元の部品番号: | CSD85312Q3E |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2390pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15.2nC @ 4.5V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET特長: | Logic Level Gate, 5V Drive |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 39A |
Email: | [email protected] |