CSD85312Q3E
部品型番:
CSD85312Q3E
メーカー:
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18673 Pieces
データシート:
CSD85312Q3E.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-VSON (3.3x3.3)
シリーズ:NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):12.4 mOhm @ 10A, 8V
電力 - 最大:2.5W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:CSD85312Q3E-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:6 Weeks
製造元の部品番号:CSD85312Q3E
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2390pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:15.2nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長:Logic Level Gate, 5V Drive
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):39A
Email:[email protected]

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