CSD88539ND - Texas Instruments - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ CSD88539ND - BYCHIPS

CSD88539ND

部品型番:: CSD88539ND

メーカー:

説明:: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 13361 Pieces

データシート:: CSD88539ND.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	3.6V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SOIC
シリーズ:	NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	28 mOhm @ 5A, 10V
電力 - 最大:	2.1W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	296-37304-2 CSD88539ND-ND
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	CSD88539ND
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	741pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	9.4nC @ 10V
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual)
FET特長:	Standard
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	15A
Email:	[email protected]

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