DMG1012UW-7 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMG1012UW-7

DMG1012UW-7

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1V @ 250µA
Vgs（最大）:	±6V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-323
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	450 mOhm @ 600mA, 4.5V
電力消費（最大）:	290mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-70, SOT-323
他の名前:	DMG1012UW-7DITR DMG1012UW7
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	DMG1012UW-7
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	60.67pF @ 16V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	0.74nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 20V 1A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-323
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1A (Ta)
Email:	[email protected]