DMG4511SK4-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

簡潔な

BYCHIPSは、 DMG4511SK4-13、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください DMG4511SK4-13をメールでお送りします。

購入 DMG4511SK4-13とBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-252-4L
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	35 mOhm @ 8A, 10V
電力 - 最大:	1.54W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
他の名前:	DMG4511SK4-13DITR DMG4511SK413
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	DMG4511SK4-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	850pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	18.7nC @ 10V
FETタイプ:	N and P-Channel, Common Drain
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	35V
説明:	MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	5.3A, 5A
Email:	[email protected]