購入 DMG4N60SJ3とBYCHPS
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DMG4N60SJ3
- 部品型番:
- DMG4N60SJ3
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 説明:
- MOSFET NCH 600V 3A TO251
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15367 Pieces
- データシート:
- DMG4N60SJ3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 DMG4N60SJ3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください DMG4N60SJ3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-251 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| 電力 - 最大: | 41W |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号: | DMG4N60SJ3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 532pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| FETタイプ: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特長: | Standard |
| 拡張された説明: | Mosfet Array MOSFET N-Channel, Metal Oxide 600V 3A (Tc) 41W Through Hole TO-251 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 600V |
| 説明: | MOSFET NCH 600V 3A TO251 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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