DMN2019UTS-13
部品型番:
DMN2019UTS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12797 Pieces
データシート:
DMN2019UTS-13.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):950mV @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSSOP
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):18.5 mOhm @ 7A, 10V
電力 - 最大:780mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
他の名前:DMN2019UTS-13DITR
DMN2019UTS13
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:DMN2019UTS-13
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:143pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:8.8nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):5.4A
Email:[email protected]

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