DMNH10H028SK3-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

簡潔な

BYCHIPSは、 DMNH10H028SK3-13、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください DMNH10H028SK3-13をメールでお送りします。

購入 DMNH10H028SK3-13とBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	3.3V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-252, (D-Pak)
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	28 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:	2W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	DMNH10H028SK3-13DITR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	DMNH10H028SK3-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2245pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	36nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 100V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET N-CH 100V 55A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	55A (Tc)
Email:	[email protected]