DMTH8012LK3Q-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-252-4L
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	16 mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大）:	2.6W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	DMTH8012LK3Q-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2051pF @ 40V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	46.8nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 80V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	80V
説明:	MOSFET NCH 80V 50A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	50A (Tc)
Email:	[email protected]