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DTB123YUT106
DTB123YUT106
部品型番:
DTB123YUT106
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12256 Pieces
データシート:
DTB123YUT106.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:UMT3
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:2.2k
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-70, SOT-323
他の名前:DTB123YUT106-ND
DTB123YUT106TR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:DTB123YUT106
周波数 - トランジション:200MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
説明:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:56 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:500mA
Email:[email protected]

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