DTC043EMT2L - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス DTC043EMT2L

DTC043EMT2L

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	150mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式:	NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:	VMT3
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	4.7k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	4.7k
電力 - 最大:	150mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-723
他の名前:	DTC043EMT2LTR
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	DTC043EMT2L
周波数 - トランジション:	250MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
説明:	TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	20 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	-
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]