ECH8501-TL-H - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ ECH8501-TL-H

ECH8501-TL-H

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	30V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	110mV @ 125mA, 2.5A
トランジスタ型式:	NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	8-ECH
シリーズ:	-
電力 - 最大:	1.6W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SMD, Flat Lead
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	2 Weeks
製造元の部品番号:	ECH8501-TL-H
周波数 - トランジション:	280MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 5A 280MHz 1.6W Surface Mount 8-ECH
説明:	TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 500mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	5A
Email:	[email protected]