購入 EMF8T2RとBYCHPS
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V, 12V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
トランジスタ型式: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | EMT6 |
シリーズ: | - |
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム): | 47k |
抵抗 - ベース(R1)(オーム): | 47k |
電力 - 最大: | 150mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | EMF8T2R |
周波数 - トランジション: | 250MHz, 320MHz |
拡張された説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
説明: | TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA, 500mA |
Email: | [email protected] |