FDB8160_F085
FDB8160_F085
部品型番:
FDB8160_F085
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15004 Pieces
データシート:
FDB8160_F085.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D²PAK (TO-263AB)
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.8 mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大):254W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:FDB8160_F085DKR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FDB8160_F085
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:11825pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:243nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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