FDC021N30
FDC021N30
部品型番:
FDC021N30
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
PT8 N 30V/20V, MOSFET
在庫数量:
14918 Pieces
データシート:
FDC021N30.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SuperSOT™-6
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):26 mOhm @ 6.1A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:SOT-23-6
他の名前:FDC021N30DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:6 Weeks
製造元の部品番号:FDC021N30
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:710pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:10.8nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:PT8 N 30V/20V, MOSFET
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6.1A (Ta)
Email:[email protected]

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