FDC3601N - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ FDC3601N

FDC3601N

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	SuperSOT™-6
シリーズ:	PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	500 mOhm @ 1A, 10V
電力 - 最大:	700mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:	FDC3601N-ND FDC3601NTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	9 Weeks
製造元の部品番号:	FDC3601N
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	153pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	5nC @ 10V
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual)
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1A
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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AON6926	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN	オンラインお問い合わせ
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