FDFMA2P853 - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル FDFMA2P853

FDFMA2P853

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.3V @ 250µA
Vgs（最大）:	±8V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	6-MicroFET (2x2)
シリーズ:	PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	120 mOhm @ 3A, 4.5V
電力消費（最大）:	1.4W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-VDFN Exposed Pad
他の名前:	FDFMA2P853FSTR FDFMA2P853TR FDFMA2P853TR-ND
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	FDFMA2P853
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	435pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	6nC @ 4.5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	Schottky Diode (Isolated)
拡張された説明:	P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3A (Ta)
Email:	[email protected]