FDI040N06
部品型番:
FDI040N06
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18381 Pieces
データシート:
FDI040N06.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4.5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK (TO-262)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4 mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大):231W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FDI040N06
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:8235pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:133nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):120A (Tc)
Email:[email protected]

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