購入 FDI33N25TUとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I2PAK (TO-262) |
シリーズ: | UniFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
電力消費(最大): | 235W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | FDI33N25TU |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2135pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 48nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 250V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 250V |
説明: | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |