FDI3652
部品型番:
FDI3652
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16572 Pieces
データシート:
FDI3652.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-262AA
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):16 mOhm @ 61A, 10V
電力消費(最大):150W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FDI3652
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2880pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:53nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262AA
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Ta), 61A (Tc)
Email:[email protected]

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