購入 FDM100-0045SPとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | ISOPLUS i4-PAC™ |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大): | - |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | i4-Pac™-5 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | FDM100-0045SP |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 100nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 55V 100A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 55V |
説明: | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |